更多"[简答题]通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为___V。"的相关试题:
[单选题]硅管的死区电压约为( )。
A.0.8V
B.0.9V
C.0.7V
D.0.6V
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.7V.
A.正确
B.错误
[判断题]一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
A.正确
B.错误
[单选题]锗二极管的死区电压是
A.0.1V至0.2V
B.1V至2V
C.1.5V
D.2v
[判断题]半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系。
A.正确
B.错误
[判断题] 要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题]二极管的死区电压为0.5V
A.正确
B.错误
[判断题]加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管导通加反向电压时,二极管截止。( )
A.正确
B.错误
[单选题]通常硅管的死区电压为___。
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
D.0.8V