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[判断题]一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题]一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
A.正确
B.错误
[判断题]锗二极管死区电压为0.1V,导通电压为0.3V。
A.正确
B.错误
[单选题]锗二极管的死区电压是
A.0.1V至0.2V
B.1V至2V
C.1.5V
D.2v
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V,导通电压为0.7 V。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]锗二极管的死区电压约为0.2V。
A.正确
B.错误
[判断题]半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系。
A.正确
B.错误
[判断题]二极管的死区电压为0.5V
A.正确
B.错误
[判断题]要使二极管正向导通,外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.7V.
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.5V。
A.正确
B.错误