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[简答题]通常硅管的死区电压约为0.5V，锗管约为___V。
[单选题]硅管的死区电压约为（ ）。
A.0.8V
B.0.9V
C.0.7V
D.0.6V
[判断题]一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题] (73317) ( )硅二极管的死区电压一般为0.2V。 ( ) [211110211]
A.正确
B.错误
[判断题]加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管导通加反向电压时,二极管截止。( )
A.正确
B.错误
[单选题]通常硅管的死区电压为___。
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
D.0.8V
[判断题]要使二极管正向导通，外加正向电压必须大于二极管的死区电压。 （ ）
A.正确
B.错误
[单选题]在25ºC时,某二极管的死区电压Uth≈0.5V,反向饱和电流IS≈0.1pA,则在35ºC时,下列哪组数据可能正确:( )。
A. Uth≈0.525V,IS≈0.05pA
B. Uth≈0.525V,IS≈0.2pA
C. Uth≈0.475V,IS≈0.05pA
D. Uth≈0.475V,IS≈0.2pA
