更多"[判断题]本征半导体中空穴是多数载流子"的相关试题:
[判断题]本征半导体中空穴是多数载流子
A.正确
B.错误
[判断题]P 型半导体中空穴是多数载流子,所以带正电。( )
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[简答题][题号:154;鉴定点:ABA006;判断题;N型半导体多数载流子是空穴。
[判断题]在N型半导体中,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是自由电子
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是自由电子
A.正确
B.错误
[单选题]1247 P型半导体中的多数载流子是()。
A.自由电子
B.空穴
C.正电子
D.自由电子空穴对
[单选题]在本征半导体中,主要参与导电的载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.自由电子和空穴
D.中子
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( ) 有很大关系。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( )有很大关系
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷