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[单选题]在本征半导体中，主要参与导电的载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.自由电子和空穴
D.中子
[单选题]在P型半导体中，主要参与导电的载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.中子
D.正离子
[单选题]在N型半导体中，主要参与导电的载流子是
A.自由电子
B.空穴
C.中子
D.正离子
[单选题]在N型半导体中参与导电的载流子有（ ）
A.只有自由电子
B.只有空穴
C.有空穴也有自由电子
D.原子
[填空题]P型半导体的多子为( )、N型半导体的多子为( )、本征半导体的载流子为( )。
[判断题]本征半导体中空穴是多数载流子
A.正确
B.错误
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（ ） 有很大关系。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度，而少数载流子的浓度则与（ ）有很大关系
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[单选题]在杂质半导体中，少数载流子的浓度主要取决于( )
A.掺杂工艺
B.温度
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[判断题]单极型器件是仅依靠单一的多数载流子导电的半导体器件。
A.正确
B.错误
[单选题]半导体内的载流子是( )。
A.正离子
B.负离子
C.自由电子
D.自由电子与空穴
