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[判断题]在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[简答题][题号:154;鉴定点:ABA006;判断题;N型半导体多数载流子是空穴。
[判断题]P 型半导体中空穴是多数载流子,所以带正电。( )
A.正确
B.错误
[判断题]本征半导体中空穴是多数载流子
A.正确
B.错误
[判断题]N型半导体中自由电子是少数载流子。
A.正确
B.错误
[单选题]在N型半导体中,( )是少数载流子。
A.锗
B.硅
C.电子
D.空穴
[填空题]P型半导体的多子为( )、N型半导体的多子为( )、本征半导体的载流子为( )。
[单选题]半导体中的少数载流子产生的原因是( )。
A.外电场
B.内电场
C.掺杂
D.热激发
[判断题]错误型半导体中自由电子是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是自由电子
A.正确
B.错误
[单选题]在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )
A.掺杂工艺
B.温度
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[判断题] N型半导体中,电子为多数载流子。
A.正确
B.错误