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[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )231000000
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[单选题]晶体三极管要处于饱和状态必须满足( )。
A.发射结集电结构正偏
B.发射结集电结均反偏
C.发射结正偏集电结反偏
D.发射结反偏集电结正偏
[判断题]131.晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高模拟量输入电路的抗干扰能力，可采用差动输入方式。( )
A.正确
B.错误
[单选题] 为了提高脉冲线的抗干扰能力,在安装时,应注意屏蔽层()。
A.不要接地
B.两端接地
C.单端接地
D.接入电源负极
[判断题]为了提高传输的可靠性，对传输信息要进行抗干扰编码。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]采用声磁同步接收法，可以提高进行故障定点时的抗干扰能力。
A.A、正确
B.B、错误
[判断题]信号的数字化使话音传输质量明显提高;抗干扰能力强;多路信号的时分复用使传输线路的利用率提高。
A.正确
B.错误
[单选题] 为提高电能信息采集系统的可靠性和抗干扰能力,可采取()的措施。
A.降低传输速度,减少信号重发次数
B.降低传输速度,增加信号重发次数
C.提高传输速度,增加信号重发次数
D.提高传输速度,减少信号重发次数
[单选题]微机保护为提高抗干扰能力，一次设备场所至保护屏控制电缆的屏蔽层接地方式为（____）。
A. 开关站接地，保护屏不接地
B. 开关站不接地，保护屏接地
C. 两侧接地
D. 两侧不接地
[单选题]( )可编程序控制器在输入端使用了( )，来提高系统的抗干扰能力。
A.继电器
B.晶闸管
C.晶体管
D.光电耦合器
[判断题]为提高抗干扰能力,微机型保护的电流引入线,应采用屏蔽电缆,屏蔽层和备用芯应在开关场和控制室同时接地。
A.正确
B.错误
