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[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )231000000
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力,应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高反相器的负向抗干扰能力，应使晶体三极管工作在深度饱和状态。( )[231000000]
A.正确
B.错误
[单选题]晶体三极管要处于饱和状态必须满足( )。
A.发射结集电结构正偏
B.发射结集电结均反偏
C.发射结正偏集电结反偏
D.发射结反偏集电结正偏
[判断题]131.晶体三极管作开关应用时，是工作在饱和状态和截止状态的。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高模拟量输入电路的抗干扰能力，可采用差动输入方式。( )
A.正确
B.错误
[简答题]在反相器电路中，装上加速电容器的目的是为了提高___、改善输出波形。
[判断题]为了增强PLC的抗干扰能力，提高可靠性，PLC的每个开关量输入端都采用光电隔离等技术。
A.正确
B.错误
[判断题]为了提高传输的可靠性，对传输信息要进行抗干扰编码。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]反相器电路中，装在加速电容器的目的为了___。
A.确保晶体三极管可靠截止
B.确保晶体三极管可靠放大
C.确保晶体三极管可靠饱和
D.提高开关速度，改善输出波形
[单选题]采用声磁同步接收法，可以提高进行故障定点时的抗干扰能力。
A.A、正确
B.B、错误
[单选题]微机保护为提高抗干扰能力，一次设备场所至保护屏控制电缆的屏蔽层接地方式为（）。
A.两侧不接地
B.两侧接地
C.开关站不接地，保护屏接地
D.开关站接地，保护屏不接地
[单选题]12106】对于微机保护,为增强其抗干扰能力应采取的方法是:( )必须经抗干扰处理。 ( )
A. 交流电流、交流电压回路
B. 直流电源入口处
C. 电流、交流电压回路和直流电源入口处
D. 电流、交流电压回路和直流电源出口处
[判断题]信号的数字化使话音传输质量明显提高;抗干扰能力强;多路信号的时分复用使传输线路的利用率提高。
A.正确
B.错误
[单选题] 为提高电能信息采集系统的可靠性和抗干扰能力,可采取()的措施。
A.降低传输速度,减少信号重发次数
B.降低传输速度,增加信号重发次数
C.提高传输速度,增加信号重发次数
D.提高传输速度,减少信号重发次数
