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[判断题]锗二极管死区电压为0.1V ，导通电压为0.3V 。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V ，导通电压为0.7v 。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的死区电压为 。( )
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
[判断题]硅二极管的死区电压一般为2V。()
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的死区电压一般为0.2V( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅材料二极管的死区电压为0.3V。( )
A.正确
B.错误
[单选题]当二极管外加的正向电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速()。A.增加 B.减小 C.截止 D.饱和
A.A
B.B
C.C
D.D
[单选题]二极管（硅）的死区电压为（ ）。
A.0.1V
B.0.5V
C.1V
[单选题]通常锗管的死区电压约为（ ）。
A.0.3V
B.0.2V
C.0.1V
[单选题]通常，硅管的死区电压约为( )V，锗管约为( )V。
A.A 0.1V 0.5V
B.B 0.5V 0.1V
C.C 1V 5V
[判断题]通常，硅管的死区电压约为0.1V，锗管约为0.5V。
A.正确
B.错误
[单选题]通常硅管的死区电压为()。
A.A.0.1V
B. B.0.2V
C.C.0.5V
