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[单选题]通常锗管的死区电压约为( )。
A.0.3V
B.0.2V
C.0.1V
[单选题]硅二极管的死区电压为 。( )
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
[单选题]通常硅管的死区电压约为( )。
A.0.1V
B.0.2V
C.0.5V
[单选题]通常,硅管的死区电压约为( )V,锗管约为( )V。
A.A 0.1V 0.5V
B.B 0.5V 0.1V
C.C 1V 5V
[判断题]通常,硅管的死区电压约为0.1V,锗管约为0.5V。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的死区电压约为0.7V.
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管的死区电压一般为2V。()
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V ,导通电压为0.7v 。
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管的死区电压为 0.5V,正向工作电压为( )V。
A.0.1~0.2
B.0.3
C.0.5
D.0.6
[判断题]硅二极管的死区电压一般为0.2V( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V,导通电压为0.7 V。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅材料二极管的死区电压为0.3V。( )
A.正确
B.错误
[单选题][题号:129;鉴定点:ABA003;选择题;硅材料二极管的死区电压为( )。
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V