[简答题]施主浓度为10¹³cm³的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。

更多"施主浓度为1013cm3的n型硅，计算400K时本征载流子浓度、多子浓"的相关试题:

[单项选择]对一定的半导体，其本征载流子浓度（）。
A. 与温度无关，与杂质浓度无关
B. 与温度有关，与杂质浓度有关
C. 与温度无关，与杂质浓度有关
D. 与温度有关，与杂质浓度无关

[单项选择]当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
A. 1
B. 1/2
C. 1/3
D. 2/3

[简答题] 若锗中施主杂质电离能△E_D=0.04eV，施主杂质浓度分别为10¹⁵cm^-3及10¹⁸cm^-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

[简答题]计算含有施主杂质浓度为N_D=9×10¹⁵cm^-3，及受主杂质浓度为1.1×10¹⁶cm³的硅在300K时的电子和空穴浓度以及费米能级的位置。

[简答题]以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×10¹⁵cm^-3，计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。在外延层中扩散硼后，硼的浓度分布随样品深度变化。设扩散层某一深度处硼浓度为5.2×10¹⁵cm^-3,计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

[简答题] 若锗中施主杂质电离能△E_D=0.01eV，施主杂质浓度分别为N_D=10¹⁴cm^-3及10¹⁷cm^-3。计算 ①99%电离； ②90%电离； ③50%电离时温度各为多少？

[单项选择]区域最大地面浓度点的预测网格设置，应依据计算出的网格点浓度分布而定，在高浓度分布区，计算点间距应( )。
A. ≥30m
B. ≤30m
C. ≥50m
D. ≤50m

[判断题]酚试剂分光光度法检测室内空气中甲醛浓度，结果计算时，将采样体积换算成标准状态下采样体积参加计算。

[简答题]77K时，锗的电子浓度为10¹⁷cm^-3，假定受主浓度为零，而E_c-E_D=0.01eV，求锗中施主浓度N_D为多少？

[判断题]靛酚蓝分光光度法检测氨浓度的计算为空气中氨的浓度等于样品溶液的吸光度减掉空白溶液的吸光度再乘以计算因子后除以标准状态下的采样体积。

[简答题]掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

[填空题]当采用耗尽近似时，由N 型耗尽区中的泊松方程可以看出，掺杂浓度越高，则内建电场的斜率越（）。

[单项选择]计算小时平均浓度需采用长期气象条件，进行( )计算。
A. 逐日或逐次
B. 逐时或逐月
C. 逐日或逐项
D. 逐时或逐次

[判断题]标准滴定溶液的浓度值，计算过程中应保留5位有效数字，报出结果应取4位有效数字。

[简答题]求室温下掺锑的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

我来回答:

提交