[简答题]掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。

更多"掺磷的n型硅，已知磷的电离能为0.044eV，求室温下杂质一半电离时费"的相关试题:

[简答题]已知N_D=1.69×10¹⁸cm³，计算掺磷的硅、锗的室温下开始发生弱简并时有多少施主发生电离？导带中电子浓度为多少？

[简答题]求室温下掺锑的n型硅，使E_F=（E_C+E_D）/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。

[简答题]有一块掺磷的n型硅，N_D=10¹⁵cm^-3，分别计算温度为①77K；②300K；③500K；④800K时导带中电子浓度。

[简答题]试计算掺磷的硅、锗在室温下开始发生弱简并时的杂质浓度为多少？

[简答题]以施主杂质电离90%作为强电离的标准，求掺砷的n型锗在300K时，以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。

[简答题]掺有浓度为每立方米为10²²硼原子的硅材料，分别计算①300K；②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。

[简答题]某机床厂年产C6136N型卧式车床500台，已知机床主轴的备品率为10%，废品率为4‰，试求该主轴零件的年生产纲领，并说明它属于哪一种生产类型，其工艺过程有何特点？

[单项选择]辐射包括电离辐射和非电离辐射，以下属于电离辐射的是（）。
A. X射线
B. 射频辐射
C. 紫外线
D. 红外线

[单项选择]辐射可分为电离辐射和非电离辐射。属于电离辐射的是(　　)。
A. 红外线
B. x射线
C. 激光
D. 紫外线

[判断题]N型半导体的多数载流子是自由电子，因此N型半导体带负电。

[判断题]电离是电离辐射最重要的特点。

[简答题] 制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型外延层杂质均匀分布，杂质浓度为4.6×10¹⁵cm^-3，计算300K时E_F的位置及电子和空穴浓度。

[简答题]制造晶体管一般是在高杂质浓度的n型衬底上外延一层n型外延层，再在外延层中扩散硼、磷而成的。设n型硅单晶衬底是掺锑的，锑的电离能为0.039eV，300K时的EF位于导带下面0.026eV处，计算锑的浓度和导带中电子浓度。

[判断题]N型半导体，P型半导体中的多数载流子性质不同，N型半导体带负电，而P型半导体带正电，所以PN结形成内电场。

[单项选择]辐射分为电离辐射和非电离辐射。下列辐射中，属于电离辐射的是（）。
A. 紫外线
B. 激光
C. X射线
D. 射频辐射

[判断题]电磁辐射有电离辐射和非电离辐射。

[单项选择]凡能引起物质电离的各种辐射称为电离辐射，下列选项中属于直接电离辐射的粒子为( )。
A. α、β带电粒子
B. γ光子、中子
C. α带电粒子、中子
D. γ光子、α、β带电粒子、中子

[多项选择]大气中的离子主要来源于大气中存在电离过程，而引起大气电离的主要电离源有（）。
A. 地壳中放射性物质发出的放射线
B. 大气中放射性物质发出的放射线
C. 地球之外宇宙射线
D. 大气中的闪电、火山爆发、森林大火等也使大气电离

我来回答:

提交