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[简答题]掺磷的n型硅,已知磷的电离能为0.044eV,求室温下杂质一半电离时费米能级的位置和浓度。
[简答题]施主浓度为1013cm3的n型硅,计算400K时本征载流子浓度、多子浓度、少子浓度和费米能级的位置。
[判断题]费米能级是对金属中自由电子能级填充状态的描述。
[判断题]费米能级是,在T=0K时,金属原子中电子被填充的最高能级,以下能级全满,以上能级全空。
[填空题]两种不同半导体接触后,费米能级较高的半导体界面一侧带()电,达到热平衡后两者的费米能级()。
[简答题]掺有浓度为每立方米为1022硼原子的硅材料,分别计算①300K;②600K时费米能级的位置及多子和少子浓度。
[简答题]求室温下掺锑的n型硅,使EF=(EC+ED)/2时锑的浓度。已知锑的电离能为0.039eV。
[单项选择]在温度T=300K,比费米能级高3KT的能级被电子占据的几率为。()
A. 1.74%
B. 2.74%
C. 3.74%
D. 4.74%
[填空题]两种不同金属接触后,费米能级高的带()电,对导电有贡献的是()的电子。
[简答题]计算硅在-78℃,27℃,300℃时的本征费米能级,假定它在禁带中间合理吗?
[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.04eV,施主杂质浓度分别为1015cm-3及1018cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?
[简答题] 若锗中施主杂质电离能△ED=0.01eV,施主杂质浓度分别为ND=1014cm-3及1017cm-3。计算 ①99%电离; ②90%电离; ③50%电离时温度各为多少?
[简答题]以施主杂质电离90%作为强电离的标准,求掺砷的n型锗在300K时,以杂质电离为主的饱和区掺杂质的浓度范围。
[判断题]温度不变,弱电解质浓度改变,则弱电解质电离平衡常数不变。
[判断题]在醋酸溶液中加入盐酸,醋酸的电离度将降低,但氢离子浓度将升高。
[多项选择]能级原理中的能级层次一般分为()。
A. 实施层
B. 执行层
C. 操作层
D. 决策层
E. 管理层
[简答题]当E-EF为1.5k0T,4k0T,10k0T时,分别用费米分布函数和玻耳兹曼分布函数计算电子占据各该能级的概率。