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[判断题]二极管处于反向偏置时有微弱的电流流过二极管,称为漏电流。( )
A.正确
B.错误
[判断题]三极管处于放大状态时发射结反向偏置,集电结反向偏置
A.正确
B.错误
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]PN结反向偏置时,处于截至状态,’呈高电阻,反向电流小。( )
A.正确
B.错误
[单选题]第 140 题, 本小题 1 分
三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
A. 饱和区
B. 截止区
C. 击穿区
D. 放大区
[填空题]三极管处于截止状态时,发射结( )偏置、集电结反向偏置。
[判断题]三极管的电流放大作用应满足的条件是发射结反向偏置,集电结正向偏置。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]PN结反向偏置时,处于导通状态,呈低电阻,正向电流大。( )
A.正确
B.错误
[单选题]1.场效应管栅-源极之间的PN结在反向偏置状态下工作,栅源极电阻RGs为。
A.100Ω
B.1KΩ以上
C.1MΩ以上
D.100MΩ以上
[单选题]晶体三极管发射结反偏置、集电结处于偏置,晶体三极管处于( )工作状态。
A.放大
B.截止
C.饱和
D.开路
[简答题]三极管在饱和状态时,发射结和集电结都处于正向偏置。
[判断题]晶体三极管的发射结处于正向偏置时,三极管就导通。( )
A.正确
B.错误
[填空题]PN结正向偏置时,处于( )状态,呈低电阻,正向电流大。
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区