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[单项选择]压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件
A. 应变片
B. 压电片
C. 弹性元件
D. 单晶硅片
[单项选择]（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
A. 直拉法
B. 铸锭法
C. 西门子法
D. 三氯氢硅还原法
[单项选择]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A. ①②④
B. ①②③④
C. ②③④
D. ③④
[单项选择]单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈（）。
A. 三角形
B. 圆形
C. 倒金字塔形
D. 正方形
[单项选择]如何从石英砂制取硅？说明从石英到单晶硅的工艺的简要框图正确的是（）
A. 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→等径生长—→尾部生长
B. 加料—→熔化—→缩颈生长—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
C. 加料—→缩颈生长—→熔化—→放肩生长—→尾部生长—→等径生长
D. 加料—→放肩生长—→缩颈生长—→熔化—→尾部生长—→等径生长
[单项选择]下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
A. 加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B. 加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C. 加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D. 加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
[单项选择]那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A. 分凝
B. 蒸发
C. 坩埚污染
D. 损坏
[单项选择]直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A. 3
B. 5
C. 4
D. 2
[单项选择]下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
A. 种晶—放肩—等径—引晶
B. 引晶—放肩—等径—种晶
C. 种晶—引晶—放肩—等径
D. 引晶—种晶—放肩—等径
[单项选择]单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
A. 0.786nm
B. 0.543nm
C. 0.941nm
D. 0.543nm
[单项选择]目前大多数集成电路生产中，所采用的基本材料为（）。
A. 非晶硅
B. 单晶硅
C. 多晶硅
D. 硫化镉
[填空题]集成电路按处理信号的类别有（）集成电路和（）集成电路两大类。
[单项选择]可以从不同角度给集成电路分类，按照（）可将其分为通用集成电路和专用集成电路两类。
A. 集成电路包含的晶体管数目
B. 晶体管结构和电路
C. 集成电路的工艺
D. 集成电路的用途
[多项选择]以下集成电路（）是GTR的专用集成电路。
A. HL201A/HL202A
B. IR2110、IR2115、IR2130
C. EXB35N系列
D. FA5310、FA5311
[单项选择]在集成电路中一般采用多谐振荡器，并外接RC定时电路的是（）
A. 行输出电路
B. 行振荡电路
C. 行激励电路
D. 行扫描电路
