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[单项选择]下列选项中，对从石英到单晶硅的工艺流程是（）
A. 加料—缩颈生长—熔化—放肩生长—等径生长—尾部生长
B. 加料—熔化—缩颈生长—等径生长—放肩生长—尾部生长
C. 加料—熔化—等径生长—放肩生长—缩颈生长—尾部生长
D. 加料—熔化—缩颈生长—放肩生长—等径生长—尾部生长
[单项选择]采用单晶硅的压阻式压力变送器采用单晶硅片为弹性元件，在单晶硅膜片上利用集成电路的工艺，在单晶硅的特定方向扩散一组（）电阻，并将电阻接成桥路。
A. 不等值
B. 等值
C. 线性值
D. 非线性值
[单项选择]下面是直拉法生产单晶硅工艺流程图正确顺序的是（）。
A. 种晶—放肩—等径—引晶
B. 引晶—放肩—等径—种晶
C. 种晶—引晶—放肩—等径
D. 引晶—种晶—放肩—等径
[单项选择]半导体硅工业产品不包括（）①多晶硅②单晶硅③外延片④非晶硅
A. ①②④
B. ①②③④
C. ②③④
D. ③④
[简答题]简要说明DOW火灾、爆炸危险指数法如何选择恰当工艺单元。
[单项选择]（）是将熔融后的多晶硅与单晶硅的结晶进行接触，边缓慢旋转提拉，使结晶生长，最后得到长棒形状的单晶硅。
A. 直拉法
B. 铸锭法
C. 西门子法
D. 三氯氢硅还原法
[单项选择]单晶硅光伏电池表面的绒面结构呈（）。
A. 三角形
B. 圆形
C. 倒金字塔形
D. 正方形
[单项选择]正确的框图简要说明硅片制备主要工艺流程是（）
A. 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
B. 单晶生长→切片→整形→晶片研磨及磨边→蚀刻→抛光→硅片检测→打包
C. 单晶生长→整形→切片→晶片研磨及磨边→抛光→蚀刻→硅片检测→打包
D. 单晶生长→整形→蚀刻→抛光→硅片检测→切片→晶片研磨及磨边→打包
[单项选择]那个不是影响直拉单晶硅的电阻率均匀性的因素（）
A. 分凝
B. 蒸发
C. 坩埚污染
D. 损坏
[单项选择]直拉法生长单晶硅拉晶过程有几个主要阶段？（）
A. 3
B. 5
C. 4
D. 2
[单项选择]压阻式压力传感器是利用单晶硅的电阻效应二构成，采用（）为弹性元件
A. 应变片
B. 压电片
C. 弹性元件
D. 单晶硅片
[单项选择]单晶硅晶胞常数为0.543nm，则（111）的面间距是多少？（）
A. 0.786nm
B. 0.543nm
C. 0.941nm
D. 0.543nm
[简答题]简要说明如何减少观察的误差，以保证观察的客观性和准确性。
[简答题]简要说明细胞如何感受内外因子变化的刺激，并最终引发生理生化反应。
