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[单选题]硅二极管的死区电压约为______。
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
[单选题]硅管的死区电压约为（ ）。
A.0.8V
B.0.9V
C.0.7V
D.0.6V
[判断题][972]( )一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[单选题]硅二极管死区电压为0.5V ，导通电压为0.7v 。
A.A
B.B
[判断题]
硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题] (73317) ( )硅二极管的死区电压一般为0.2V。 ( ) [211110211]
A.正确
B.错误
[单选题]锗管的死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是( )。
A.大于0.3V
B.小于0.3V
C.等于0.3V
D.小于0.1V
[单选题]锗管死区电压为0.3V,管子导通时所加的正向电压应是_( )_。
A.大于0.3V
B.小于0.3V
C.等于0.3V
D.小于0.1V
[单选题]当外加的电压超过死区电压时，电流随电压增加而迅速( )。
A.A、增加
B.B、减小
C. C、截止
D.D、饱和
[判断题]加在二极管上的正向电压大于死区电压时,二极管导通加反向电压时,二极管截止。( )
A.正确
B.错误
[单选题]锗二极管死区电压为0.1V ，导通电压为0.3V 。
A.A
B.B
[单选题] 给二极管加正向电压时，这个电压只要大于死区电压，电流便很快增长，二极管导通，此时电阻很小，这是二极管的（）。
A.正向特性
B.反向特性
C.反向击穿
[单选题]晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.A
B.B
[单选题]当蓄电池电压高于硅整流发电机电压时，硅二极管阻止反向电流流过，因此在发动机的直流电路中，( )也是一个重要部件。
A.调节器
B.发电机
C.电流表
D.继电器
[判断题]硅整流管上所标电压为反向不重复峰值电压。()
A.正确
B.错误
[单选题]在电缆直流耐压时由于存在电压分配不均匀的现象，使用电压应为硅整流器额定电压的()。
A.A、50%～60%
B.B、60%～70%
C.C、70%～80%
D.D、80%～90%
