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发布时间:2024-07-02 18:43:46

[单选题]锗管的导通电压是( )V。
A.0.2
B.0.3
C.0.5
D.0.7

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[单选题]锗二极管的导通电压是( )V。
A.0.1
B.0.5
C.0.7
D.0.3
[判断题]锗二极管死区电压为0.1 V,导通电压为0.3 V。( )
A.正确
B.错误
[判断题]锗二极管的导通电压约为0.1V~0.2V.
A.正确
B.错误
[单选题]硅材料和锗材料二极管的导通电压分别是( )V。
A.0.2、0.7
B.0.5、0.3
C.0.3、0.7
D.0.7、0.3
[单选题]锗二极管的导通电压是
A.0.1V至0.2V
B.1V至2V
C.0.2V至0.3V
D.2v至3V
[单选题]锗二极管的单项导通电压()。
A.0.5V
B.0.7V
C.0.9V
D.0.2V
[单选题]晶闸管在导通情况下,只要有一定的(),不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用。
A.正向阴极电压
B.正向阳极电压
C.反向阴极电压
D.反向阳极电压
[单选题]由门极控制导通的晶闸管导通后,门极信号
A.失去作用
B.需维持原值
C.需降低
D.需提高
[判断题]要使晶闸管可靠导通,应给管子施加一个较大的正向阳极电压和一个适当的正向门极电压。晶闸管导通后,门极失去控制作用。( )
A.正确
B.错误
[单选题]晶闸管导通的条件是
A.阳极加正向电压,门极有正向脉冲
B.阳极加正向电压,门极有负向脉冲
C.阳极加反向电压,门极有正向脉冲
D.阳极加反向电压,门极有负向脉冲
[判断题]晶体管放大电路,放大状态的静态I点,发射节电压Ube,硅管为0.6~0.8V,锗管为0.12~0.3V。
A.正确
B.错误
[单选题]晶闸管导通后,通过晶闸管的电流( )。
A.决定于电路的负载
B.决定于晶闸管的电流容量
C.决定于电路电压
D.其他因素

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