更多"[判断题]锗二极管死区电压为0.1 V，导通电压为0.3 V。( "的相关试题:
[判断题]锗二极管死区电压为0.1V ，导通电压为0.3V 。
A.正确
B.错误
[判断题]一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。
A.正确
B.错误
[单选题]锗二极管的单项导通电压（）。
A.0.5V
B.0.7V
C.0.9V
D.0.2V
[单选题]锗二极管的死区电压是
A.0.1V至0.2V
B.1V至2V
C.1.5V
D.2v
[判断题]锗二极管的死区电压约为0.2V。
A.正确
B.错误
[单选题]锗二极管的导通电压是
A.0.1V至0.2V
B.1V至2V
C.0.2V至0.3V
D.2v至3V
[单选题]锗二极管的导通电压是( )V。
A.0.1
B.0.5
C.0.7
D.0.3
[判断题]锗二极管的导通电压约为0.1V~0.2V.
A.正确
B.错误
[判断题]半导体二极管的死区电压和导通电压与二极管的材料没有关系。
A.正确
B.错误
[判断题]( )当二极管两端正向偏置电压大于死区电压,二极管才能导通。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5V ，导通电压为0.7v 。
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管死区电压为0.5 V，导通电压为0.7 V。( )
A.正确
B.错误
[判断题]硅二极管和锗二极管正向导通电压相等
A.正确
B.错误
