更多"[单选题]硅材料和锗材料二极管的导通电压分别是（ ）V。"的相关试题:
[判断题]硅材料二极管的死区电压为 0.3V。( )
A.正确
B.错误
[单选题][题号：129；鉴定点：ABA003；选择题；硅材料二极管的死区电压为( )。
A.0.1V
B.0.3V
C.0.5V
D.0.7V
[多选题]设备接地引下线导通电阻值应小于等于（ ），且导通电阻初值差≤（ ）
A.100mΩ
B.200mΩ
C.40%
D.50%
[判断题]设备接地引下线导通电阻值应小于等于100mΩ，且导通电阻初值差小于等于50％
A.正确
B.错误
[单选题]稳压二极管是一种硅材料制成的（ ）晶体二极管。
A.面接触型
B.点接触型
C.平面型
D.线型
[单选题]避雷针设备接地引下线导通电阻值应小于等于（），且导通电阻初值差≤50％
A.200mΩ
B.200Ω
C.500mΩ
D.500Ω
[单选题]接地装置运行一般规定中，独立避雷针导通电阻低于（）mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于200mΩ且初值差不大于50%
A.500
B.400
C.300
D.200
[判断题]独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于300mΩ且初值差不大于50%
A.正确
B.错误
[判断题]独立避雷针导通电阻大于500mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于200mΩ且初值差不大于50%
A.正确
B.错误
[判断题]独立避雷针导通电阻低于300mΩ时应进行校核测试，其他部分导通电阻大于60mΩ时应进行校核测试
A.正确
B.错误
[单选题]独立避雷针导通电阻低于（）mΩ时应进行校核测试其他部分导通电阻大于50mΩ时应进行校核测试，应不大于200mΩ且初值差不大于50%
A.100
B.500
C.50
D.200
[判断题]（）二极管型号命名中，P型、硅材料用D表示。
A.正确
B.错误
[单选题]独立避雷针导通电阻低于（）时应进行校核测试
A.500mΩ
B.300mΩ
C.400mΩ
D.600mΩ
[判断题]独立避雷针导通电阻低于1000mΩ时应进行校核测试
A.正确
B.错误
[判断题]独立避雷针导通电阻低于500mΩ时应进行校核测试
A.正确
B.错误
[判断题]变压器、避雷器、避雷针等设备接地引下线导通试验标准是:小于等于200mΩ且导通电阻初值差不大于50%。
A.正确
B.错误
[单选题]独立避雷针导通电阻低于（）mΩ时应进行校核测试
A.750
B.500
C.1000
D.1500
