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[单选题]突触前抑制是由于突触前膜
A.A:产生超极化
B.B:释放抑制性递质
C.C:递质耗竭
D.D:兴奋性递质释放减少
E.E:产生抑制性突触后电位
[单选题]突触前抑制产生是由于
A.突触前膜去极化
B.突触前膜超极化
C.突触前膜释放抑制性递质
D.突触前膜处于有效不应期
E.突触前膜处于绝对不应期
[单选题]突触前抑制的产生是由于
A.A:突触前膜部分超极化
B.B:突触后膜部分超极化
C.C:突触后膜部分去极化
D.D:突触前膜释放抑制性递质
E.E:突触后膜释放抑制性递质
[单选题][00328]突触前抑制的产生是由于:( )
A. 突触后膜超极化
B. 突触前膜去极化减小
C. 突触前膜超极化
D. 突触后膜去极化减小
E. 突触后膜兴奋性下降
[单选题]突触后抑制的产生是由于
A.A:突触后膜去极化
B.B:突触前膜去极化
C.C:突触后膜超极化
D.D:突触前膜超极化
E.E:突触后膜反极化
[单选题]突触前抑制产生的机制是( )。
A.突触前神经元释放抑制性递质增多
B.中间神经元释放抑制性递质增多
C.突触间隙加宽
D.突触后膜超极化,突触后神经元的兴奋性降低
[单选题]抑制性突触后电位的产生，是由于突触后膜对下列哪种离子提高了通透性
A.Na+、K+，尤其是对K+
B.Ca2+、K+，尤其是对Ca2+
C.Na+、K+，尤其是对Na+
D.K+、Cl-，尤其是对Cl-
E.K+、Ca2+，尤其是对Ca2+
[单选题]抑制性突触后电位突触后膜上发生的电位变化为
A.反极化
B.超极化
C.后电位
D.复极化
E.去极化
[章节:神经系统,教学要求:了解,分值单位:1.0,难度:0.55,区分度:0.52]
[单选题]抑制性突出后电位是突触后膜产生
A.去极化
B.超极化
C.反极化
D.复极化
E.极化
[单选题]突触前抑制的发生是由于( )
A.突触前膜兴奋性递质释放量减少
B.突触前膜释放抑制性递质
C.突触后膜超极化
D.轴突抑制
E.中间抑制性神经元兴奋结果
[单选题]抑制性突触后电位的产生主要与哪种离子跨突触后膜内流有关
A.Na+
B.Ca2+
C.K+
D.Cl—
E.Mg2+
[判断题]GABA不仅具有突触前抑制作用,也具有突触后抑制作用。
A.正确
B.错误
[多选题]突触后抑制产生的原因是( )
A.突触前膜释放抑制性递质
B.突触后膜Cl-通道开放,Cl-内流
C.突触后膜超极化
D.由抑制性中间神经元引起
E.轴突始段出现外向电流
