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[单选题]某探头晶片材料标识为B,它的材料是( )
A.钛酸钡陶瓷
B.锆钛酸铅陶瓷
C.钛酸铅陶瓷
D.石英
[单选题]某探头晶片材料标识为Q,它的材料是( )。
A.锆钛酸铅陶瓷
B.碘酸锂单晶
C.石英单晶
D.铌酸锂单晶
[单选题]某探头晶片材料标识为L,它的材料是( )。
A.锆钛酸铅陶瓷
B.钛酸钡陶瓷
C.钛酸铅陶瓷
D.铌酸锂单晶
[单选题]某探头晶片材料标识为J,它的材料是( )。
A.锆钛酸铅陶瓷
B.碘酸锂单晶
C.钛酸铅陶瓷
D.铌酸锂单晶
[单选题]某探头晶片材料标识为T,它的材料是( )。
A.锆钛酸铅陶瓷
B.钛酸钡陶瓷
C.钛酸铅陶瓷
D.石英
[判断题]( )某探头晶片材料标识为P时,它的材料是锆钛酸铅。
A.正确
B.错误
[判断题]( )探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。
A.正确
B.错误
[判断题] 超声波探头应有唯一编号，并标识探头频率、晶片尺寸、探头K值( )
A.正确
B.错误
[单选题]选择较小尺寸的探头晶片探伤( )。
A.
有利于发现缺陷
B.
不利于对缺陷定位
C.
可提高探伤灵敏度
D.
有利于对缺陷定位
[单选题]探头晶片尺寸愈大，其灵敏度（ ）。
A.越高
B.越低
C.不变
D.与尺寸无关
[单选题]探头晶片尺寸愈大其灵敏度就( )。
A.越高
B.越低
C.不变
D.无关
[简答题]探头晶片尺寸增加,对探伤有哪些有利因素?
[判断题]探头晶片的尺寸愈大其灵敏度越高。
A.正确
B.错误
[单选题] 使发射探头晶片获得突发性能量的电路称为( )。
A.脉冲发射器
B.接收放大器
C.衰减器
D.同步发生器
[判断题]探头晶片尺寸增加，近场区长度增加，对探伤不利。
A.正确
B.错误
