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[单选题]三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为( )。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]晶体三极管放大状态的外部条件是发射结正偏、集电结反偏且发射结正偏电压必须大于死区电压。
A.正确
B.错误
[判断题]根据三极管的输出特性可知,截止区---发射结正偏,集电结反偏( )。
A.正确
B.错误
[单选题]晶体管工作在( )状态时，发射结正偏，集电结反偏。 __________
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 失真
[判断题]三极管工作在饱和状态的条件是发射结正偏，集电结正偏。
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的发射结正偏时，它必处于放大状态。
A.正确
B.错误
[判断题]根据三极管的输出特性可知,放大区---发射结反偏,集电结反偏( )。
A.正确
B.错误
[单选题]对于NPN硅管，Un>0.7V, U>Une, U<0,也就是发射结正偏，集电结反偏，该管处于 状态。
A.截止
B.放大
C.饱和
D.缩小
[多选题]>三极管的工作区域可分为( )。
A.截止区
B.饱和区
C.放大区
D.稳定区
[单选题]三极管作为开关时工作区域是( )。A.饱和区+放大区 B.击穿区十截止区 C.放大区十击穿区 D.饱和区+截止区
A.A
B.B
C.C
D.D
[多选题]三极管输出特性,曲线可分为( )区域。
A.放大区
B.截止区
C.饱和区
D.容抗
[判断题]>三极管的工作区域可分为截止区、饱和区和放大区。( )
A.正确
B.错误
[多选题]晶体三极管的输出特性曲线可分为（ ）区域。
A.截止区
B.放大区
C. 饱和区
D.终止区
[多选题]三极管的工作状态可以分为( )三个区域。
A.终止区
B.截止区
C.饱和区
D.放大区
[多选题]三极管的输出特性曲线可分成三个区域,即( )。
A.放大区
B.饱和区
C.截止区
D.减小区
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为( )。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为( )。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
