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[判断题]电力场效应管是理想的电流控制器件。( )
A.正确
B.错误
[单选题]电力场效应管 MOSFET 是理想的( )控制器件。
A.电压
B.电流
C.电阻
D.功率
[判断题]场效应管是电压放大器件。 ( )
A.正确
B.错误
[判断题]场效应管是电流控制元件( )
A.正确
B.错误
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值越大,场效应管的控制能力越强。
A.正确
B.错误
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[填空题](64197)场效应管的( )电流则受栅-源电压直接控制,是一种电压控制器件。(2.0分)
[填空题](64501)场效应管的漏极电流则受栅-源电压直接控制,是一种( )控制器件。(2.0分)
[填空题]> 半导体三极管与场效应管的一个重要区别是:半导体三极管是电流控制元件,场效应管为()控制元件。
[单选题]电力晶闸管的开关频率（ ）电力场效应管的开关频率。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]电力场效应管 MOSFET( )现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[单选题]469、电力场效应管MOSFET（）现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[单选题]绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题]800、绝缘栅双极晶体管的开关速度（）电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.等于
D.远高于
[单选题]电力场效应管 MOSFET 适于在( )条件下工作
A.直流
B.低频
C.中频
D.高频
[单选题]740、绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的（）。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题]电力场效应管 MOSFET 在使用和存放时,要防止( )
A.时间久而失效
B.二次击穿
C.静电击穿
D.饱和
[单选题]在斩波器中,采用电力场效应管可以( )。
A.提高斩波频率
B.降低斩波频率
C.提高功耗
D.降低斩波效率
