更多"[判断题]场效应管是电流控制元件( )"的相关试题:
[填空题]> 半导体三极管与场效应管的一个重要区别是:半导体三极管是电流控制元件,场效应管为()控制元件。
[判断题]试题编号:03JC02DZ0057
场效应管的漏极电流 受栅源电压 的控制,是电压控制元件。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]场效应管属于（）控制元件
A.电压
B.电流
C.电压与电流
D.频率
[判断题]电力场效应管是理想的电流控制器件。
A.正确
B.错误
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数,其值越大,场效应管的控制能力越强。
A.正确
B.错误
[判断题](27687)( )场效应管属于电流控制型器件。(1.0分)
A.正确
B.错误
[填空题](64197)场效应管的( )电流则受栅-源电压直接控制,是一种电压控制器件。(2.0分)
[单选题]场效应管的沟道完全夹断后，其漏极电流iD（）。
A.很大
B.随VDS变化
C.较小
D.等于0
[填空题](64501)场效应管的漏极电流则受栅-源电压直接控制,是一种( )控制器件。(2.0分)
[单选题]试题编号:03JC01DZ0064
场效应管最大的优点是输入端电流几乎为零,具有极高的( )。
A.输入电压
B.输入电流
C.输入电阻
[判断题](62973)( )场效应管当栅压为零时就有较大漏极电流的工作方式称为增强型。( ) (2.0分)
A.正确
B.错误
[单选题]场效应管主要优点（）
A.输出电阻小
B.输入电阻大
C.是电流控制
D.组成放大电路时电压放大倍数大
[单选题]电力晶体管的开关频率( )电力场效应管。
A.稍高于
B.低于
C.远高于
D.等于
[单选题]电力场效应管 MOSFET( )现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
