更多"[判断题]提高探头频率，减小晶片尺寸可以提高近表面缺陷的探测能力。（）"的相关试题:
[判断题]双晶探头的主要参数为频率、晶片尺寸和声束汇聚区的范围。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]横波斜探头上的主要参数为工件频率、晶片尺寸和K值。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]探头的频率和晶片厚度有关，晶片厚度越薄，频率越低。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]晶片发射波束的扩散程度主要取决于频率和晶片尺寸。（）
A.正确
B.错误
[判断题]频率和晶片尺寸相同时，横波声束指向性不如纵波好。（）
A.正确
B.错误
[单选题]压电晶片厚度和探头频率是相关的,晶片越薄,则------( )
A.频率越低;
B.频率越高;
C.无明显影响;
D.取于发射脉冲强度
[单选题]探头晶片尺寸愈大其灵敏度就（）。
A.越高
B.越低
C.不变
D.无关
[判断题](66317)( )探头晶片面积相同,高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。( )(1.0分)
A.正确
B.错误
[判断题] 探头晶片面积相同，高频率探头的声束扩散角要比低频率探头的声束扩散角大。( )
A.正确
B.错误
[单选题]探头晶片尺寸( )，近场区长度增加，对近表面探伤不利。
A.增加
B.减小
C.不变
