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[单选题]二极管当中,硅管的开启电压约为( )V,锗管约为( )V。
A.0.1,0.2
B.0.2,0.3
C.0.5,0.1
D.0.5,0.4
[单选题]导通后二极管两端电压变化很小,硅管约为( )。
A.0.5V
B.0.7V
C.0.3V
D.0.1V
[单选题]晶体管工作在放大状态时,发射结正偏,对于硅管约为()V,锗管约为0.3V。
A.0.7
B.0.5
C.0.3
D.0.1
[单选题]硅管的导通电压()。
A.为0.3V
B.为0.7V
C.约为0.7V
D.约为0.3V
[判断题]()晶体管工作在放大状态时,发射结反偏,对于硅管约为0.7v,锗管约为0.3v。
A.正确
B.错误
[单选题]用MF47型万用表的500V档测量50kV/100V的电压互感器二次绕组电压时,指针盘摆度约为满刻度的1/5,由此可知此高压设备电压约为()kV。
A.500
B.100
C.50
[单选题]二极管导通后硅管的导通电压一般取为()V。
A.0.2
B.0.4
C.0.5
D.0.7
[多选题]开启电压的大小和( )有关。
A.材料
B.环境温度
C.外加电压
D.环境湿度
E.负载
[判断题]开启电压的大小和材料、环境温度有关。
A.正确
B.错误
[单选题]在二极管两端加上正向电压时,电流与电压的关系正向特性。通常硅管为( )V。( )
A.0.2
B.0.3
C.0.5
D.0.7
[单选题]太阳电池单体是用于光电转换的最小单元,其工作电压约为( )mV,工作电流为20~25mA/cm。
A.100200
B.200300
C.400500
D.800900
[单选题]在MOS门电路中,欲使PMOS管导通可靠,栅极所加电压应( )开启电压(UTP<0)。
A.大于
B.小于
C.等于
D.任意
[单选题]在MOS门电路中,欲使FMO3管导通,栅极所加电压应( )开启电压(Ure<0)。
A.大于
B.小于
C.等于
D.任意
[单选题] 6~10 kV电压等级的电力变压器阻抗电压标准约为( )。
A. 20%~4%
B.3%~5%
C. 4%~5.5%
D. 5%~7%