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[单选题]3DG6D型晶体三极管的Pcm=100mW，Icm=20 mA,Uceo=30 V，如果将它接在Ic=15mA，Uce=20V的电路中，则该管( )。
A.(A)被击穿
B.(B)工作正常
C. (c)功率太大，过热甚至烧坏
D.(D)放大倍数下降
[单选题]3DG6D型晶体三极管的PCM=100mW,ICM=20mA,U,UCEO=30V,如果将它接在IC=15mA,
UCE=20V的电路中则该管
。
A.被击穿
B.工作正常
C.功率太大,过热甚至烧坏
D.放大倍数下降
[单选题]3DG6D型晶体三极管的Pcm=100mW,Icm=20mA,Uceo=30V,如果将它接在Ic=15mA,Uce=20V的电路中,则该管( )。
A.被击穿
B.工作正常
C.功率太大,过热甚至烧坏
D.放大倍数下降
[单选题]绝缘栅双极型晶体管IGBT是一种集( )与双极型晶体管的优点于一体的新型功率半导体器件。
A. GTO管
B. MODFET管
C. MOS管
D. SCR管
[单选题]串联型晶体管稳压电路是将晶体管作为（ ）在电路中使用。
A.可变电阻
B.放大器
C.开关
[判断题]高频静电感应晶体管（SIT）比绝缘栅双极型晶体管（IGBT）适用的频率更高。
A.正确
B.错误
[单选题]用JT-1型晶体管特性图示仪测试晶体管的极限参数时，阶梯作用钮应置( )位。
A. 重复
B. 关
C. 单簇
D. 任意
[单选题]NPN型和PNP型晶体管的区别是 ( )。
A.由两种不同的材料硅和锗制成的
B.掺入的杂质元素不同
C.P区和N区的位置不同
D.管脚排列方式不
[判断题]IGBT全称为绝缘栅双极型晶体管。
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘栅双极型晶体管（IGBT）属于全控型电力电子器件。
A.正确
B.错误
[判断题]JT-1型晶体管特性图示仪可对晶体三极管的参数定性、定量测量。( )
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘门极双极型晶体管(IGBT)属于全控型电力电子器件。
A.正确
B.错误
[判断题]NPN型和PNP型晶体管的区别是P区和N区的位置不同( )
A.正确
B.错误
[单选题]用JT-1型晶体管特性图示仪测试小功率晶体三极管时，功耗电阻应选得( )。
A. 小一些
B. 大一些
C. 无要求
D. 以上都对
[单选题]DA-16型晶体管毫伏表用于测量( )的交流电压。
A. 1 Hz~20 Hz
B. 20 Hz~100 Hz
C. 1 Hz~1 MHz
D. 20 Hz~1 MHz
[单选题]用JT-1型晶体管特性图示仪测试PNP型三极管时，集电极反描电压极性开关应置于( )。
A. ＋位
B. －位
C. 0位
D. 任意位
[单选题]JT—1型晶体管图示仪输出集电极电压的峰值是（ ）伏。
A.100
B.200
C.500
D.1000
