更多"[多选题]测量耦合电容器介损时，为减少电场或磁场干扰，应采用（____"的相关试题:
[多选题]测量耦合电容器介损时，为减少表面泄漏电流影响，应采取（____）等措施。
A. 擦拭瓷套表面
B. 烘干瓷套表面
C. 加粗试验引线
D. 加屏蔽环屏蔽
[多选题]反接法测量耦合电容器介损时，为减少对地电容影响，应采取（____）措施。
A. Cx对地距离最大
B. 移相法
C. 引线尽量缩短
D. 倒相法
[单选题]永磁材料进行磁性能测量时,要求提供高磁场强度的磁化磁场,为此,专门制造了一种测量仪器,称为()。
A.电磁场测量仪
B.磁导计
C.磁场感应仪
D.磁场力量判断器
[判断题]测量耦合电容器介损时，应先读取测量数据，然后将试验电压降至零。
A.正确
B.错误
[判断题]如果仪表离开规定的工作条件，如环境温度的改变，外电场或外磁场的影响等都会使仪表产生测量误差。 （ ）
A.正确
B.错误
[判断题]变化的电场产生磁场，磁场存在于磁体周围空间、运动电荷的周围空间和载有电流的导体周围空间。
A.正确
B.错误
[单选题]为减少耦合电容器的爆炸事故发生，对运行中的耦合电容器应连续监测或停电测量电容电流，并分析电容量的变化情况。
A.正确
B.错误
C.lue
D.lue
E.lue
F.lue
G.lue
H.lue
[单选题]测量耦合电容器介损时，tgδ与缺陷部分体积大小有关，若tgδ1、V1为绝缘良好部分介损，体积；tgδ2、V2为绝缘缺陷部分介损，体积；V为总体积，其关系式为tgδ=（____）。
A. tgδ1+tgδ2
B. tgδ1+V2*tgδ2/V
C. V1*tgδ1/V+tgδ2
D. V1*tgδ1/V+V2*tgδ2/V
[判断题]电磁感应型开关量传感器是通过测量电缆周围有无电场存在来间接测量设备工作状态的。
A.正确
B.错误
[单选题]测量耦合电容器介损时，可在电桥Z4臂上并联（____）提高QS1电桥分辨率，并可按所需分辨率计算出所需元件。
A. 电抗
B. 电容
C. 电阻
D. 间隙
[多选题]反接线测量的耦合电容器介损时，耦合电容器高压电极接Cx端，（____）接地。
A. 法兰
B. 结合滤波器
C. 低压端
D. 小套管
[判断题]电容元件储存磁场能,电感元件储存电场能。
A.正确
B.错误
[多选题]按照防御外界磁场或者电场影响的能力分类包括( )。
A.I
B.II
C.III
D.IV
[单选题]一段载流导体在磁场中受到力的作用,当导体中电流方向与磁场方向的夹角θ()时,导体受到的电场力F为
0。
A.等于45º
B.等于0º
C.等于60º
D.等于90º
[单选题]一段载流导线在磁场中受到力的作用,当导体中电流方向与磁场方向的夹角θ()时,导线受到的电场力F最大。
A.大于90º
B.等于0º
C.小于90º
D.等于90º
