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[单选题]三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
A.正确
B.错误
[多选题],本小题1分
三极管共射极连接时的工作区域包括(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题],本小题1分
三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题],本小题1分
三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[多选题],本小题1分
三极管的类型包括(____)。
A.PN型
B.NP型
C.NPN型
D.PNP型
[单选题],本小题1分
三极管超过(____)所示极限参数时,必定被损坏。
A.集电极最大允许电流ICM
B.集—射极间反向击穿电压U(BR)CEO
C.集电极最大允许耗散功率PCM
D.管子的电流放大倍数β
[单选题],本小题1分
在中频段把三极管的共射极电流放大倍数β0看作常数,当三极管的电流放大倍数β下降到0.707β0时所对应的频率,称为(____)。
A.共射截止频率
B.特征频率
C.上限频率
D.下限频率
[单选题],本小题1分
若使三极管具有电流放大能力,必须满足的外部条件是(____)。
A.发射结正偏、集电结正偏
B.发射结反偏、集电结反偏
C.发射结正偏、集电结反偏
D.发射结反偏、集电结正偏
[单选题],本小题1分
随着频率升高,三极管电流放大倍数将明显下降,把β=1时所对应的频率称为(____)。
A.共射截止频率
B.特征频率
C.上限频率
D.下限频率
[单选题],本小题1分
测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在(____)。
A.
放大区
B.饱和区
C.截止区
D.反向击穿区
[判断题]第 798 题, 本小题 1 分
同一地区同类供电区域的电网结构应尽量统一。
A.正确
B.错误
[单选题]第 156 题, 本小题 1 分
(____)是城市配电自动化系统的区域指挥中心，规模上小于主站控制中心。
A. 主站控制中心
B. 通信控制中心
C. 配电子站
D. 区域主站
[多选题]第 555 题, 本小题 1 分
A类供电区域的中压网结构为(____)。
A. 三双
B. 双环
C. 单环
D. 辐射
[单选题]56 题, 本小题 1 分
在带电设备区域内使用起重机等起重设备时，应安装接地线并可靠接地，接地线应用多股软铜线，其截面积不得小于（____）mm2。
A.
25
B. 16
C. 10
D. 35
[多选题]第 543 题, 本小题 1 分
同一区域内宜(____)中性点接地方式，有利于(____)。
A. 统一
B. 区分
C. 负荷分配
D. 负荷转供
[判断题]第 801 题, 本小题 1 分
分段器具有开断短路电流的能力。
A.正确
B.错误
[单选题]571 题, 本小题 1 分
充电桩读卡器区域所用前面板在满足防护要求情况下，厚度尽量大。
A. 对
B. 错
