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[单选题]三极管的发射结正偏，集电结反偏的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题],本小题1分
三极管的发射结正偏,集电结反偏的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[判断题]半导体三极管能够放大的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]( )三极管放大区的放大条件为发射结反偏或零偏,集电结反偏。
A.正确
B.错误
[判断题]晶体三极管内有三个导电区域。
A.正确
B.错误
[判断题]( )据三极管输出特性曲线的特点,可将三极管的工作范围划分为放大区和饱和区二个区域。
A.正确
B.错误
[多选题]三极管的输出特性曲线簇分为以下区域:( )。
A.死区
B.饱和区
C.截止区
D.放大区
E.反向区
[多选题]三极管的输出特性曲线可分成三个区域，即（ ）。
A. 放大区
B. 饱和区
C. 截止区
D. 减小区
[多选题],本小题1分
三极管共射极连接时的工作区域包括(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题]三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题]三极管3DG6是（ ）三极管。
A.PNP型锗
B.NPN型锗
C.PNP型硅
D.NPN型硅
[单选题]三极管3AX31是（ ）三极管。
A.PBP型锗
B.BPB型锗
C.PBP型硅
D.BPB型硅
[单选题]三极管放大电路中三极管工作在（ ）区。
A.饱和
B.放大
C.截止
D.任意
[单选题],本小题1分
三极管的发射结和集电结均处于反向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
[单选题],本小题1分
三极管的发射结和集电结均处于正向偏置的区域为(____)。
A.饱和区
B.截止区
C.击穿区
D.放大区
