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[单选题]绝缘栅双极型晶体管是( )。
A.
GTR
B. MOSFET
C. IGBT
D. 电阻
[判断题]绝缘栅双极型晶体管内部为四层结构。( )
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘栅双极型晶体管必须有专门的强迫换流电路。( )
A.正确
B.错误
[单选题]绝缘栅双极型晶体管的导通与关断是由( )来控制。
A.栅极电流
B.发射极电流
C.栅极电压
D.发射极电压
[多选题]绝缘栅双极型晶体管是以( )作为栅极,以( )复合而成。
A.晶闸管控制极为栅极
B. 电力场效应晶体管栅极为栅极
C. 电力晶体管集电极和发射极作为发射极与集电极
D. 场效应管集电极和发射极作为发射极与集电极
[判断题]绝缘栅双极型晶体管的导通和关断是由栅极电压来控制的。( )
A.正确
B.错误
[单选题]绝缘栅双极晶体管( )电路。
A.不必有专门的强迫换流
B.可能有专门的强迫换流
C.必须有专门的强迫换压
D.可以有专门的强迫换压
[多选题]以下是绝缘栅双极晶体管(IGBT)优点的是(____)。
A.驱动功率小
B.开关速度快
C..饱和压降低
D.安全工作区域宽
[单选题] 绝缘栅双极晶体管属于( )控制元件。
A.电压
B.电流
C.功率
D.频率
[判断题] 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。( )
A.正确
B.错误
[单选题]绝缘栅双极晶体管内部为( )层结构。
A.1
B.2
C.3
D.4
[单选题] 要使绝缘栅双极晶体管导通,应( )。
A.在栅极加正电压
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高