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[判断题] 绝缘栅双极晶体管内部为四层结构。( )
A.正确
B.错误
[单选题]绝缘栅双极晶体管内部为( )层结构。
A.1
B.2
C.3
D.4
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度( )电力晶体管。
A.低于
B.等于
C.稍高于
D.明显高于
[单选题]绝缘栅双极晶体管( )电路。
A.不必有专门的强迫换流
B.可能有专门的强迫换流
C.必须有专门的强迫换压
D.可以有专门的强迫换压
[单选题] 绝缘栅双极晶体管属于( )控制元件。
A.电压
B.电流
C.功率
D.频率
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题] 要使绝缘栅双极晶体管导通,应( )。
A.在栅极加正电压
B.在集电极加正电压
C.在栅极加负电压
D.在集电极加负电压
[单选题]绝缘栅双极晶体管的三个极为______。
A.集电极、发射极、栅极
B.集电极、发射极、基极
C.集电极、发射极、源极
D.集电极、发射极、漏极
[单选题]下列______不是绝缘栅双极晶体管的特点。
A.工作速度快
B.电流大
C.驱动功率大
D.导通压降低
[判断题] 斩波器中的绝缘栅双极晶体管工作在开关状态。( )
A.正确
B.错误
[判断题]绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由晶闸管和三极管构成的复合型器件。
A.正确
B.错误
[判断题] 逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。( )
A.正确
B.错误
[单选题]关于绝缘栅双极晶体管的描述中，错误的是_______。
A.只要控制电压大于开启电压，IGBT正向工作时即可导通
B.只要给控制端加大于开启电压的脉冲，IGBT正向工作时即可导通
C.正常使用中，常控制IGBT工作在正向阻断区和饱和区
D.IGBT开关速度高，开关损耗小，但是控制端输入阻抗高
[多选题]绝缘栅双极晶体管(IGBT)的三个电极为(____)。
A.发射极
B.栅极
C.集电极
D.基极
