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[简答题]具体描述CMOS集成电路的工艺流程是怎样的？
[单项选择]在查找CMOS集成电路故障的不能用（）
A. 断路法
B. 短路法
C. 电压法
[多项选择]由（）组成的集成电路简称CMOS电路。
A. 金属
B. 氧化物
C. 半导体场效应管
D. 磁性物
[填空题]场效应管噪声的主要来源是（），一般情况下晶体三极管的噪声比场效应管要大。
[单项选择]三极管是电流控制器件，场效应晶体管是（）器件。
A. 电阻控制
B. 电压控制
C. 动态控制
D. 单项控制
[单项选择]三极管是（）控制元件，场效应管是（）控制元件。
A. 电压、电压
B. 电压、电流
C. 电流、电流
D. 电流、电压
[填空题]场效应管按其结构不同常见的两种类型：（）和绝缘栅场效应管。
[判断题]PC机主板上有一个集成电路芯片是CMOS存储器，主要用于存放计算机硬件的配置参数和日期、时间等系统参数。
[多项选择]IGBT的基本结构是由“双极型三极管BJT”和“MOS绝缘栅型场效应管”组成的（）电力电子器件。
A. 结构复杂
B. 复合
C. 全控型
D. 电压驱动式
[简答题]CMOS工艺是如何在一种衬底材料上实现不同类型场效应晶体管的？阱有几种类型？每种类型可制作什么类型的场效应管？
[单项选择]对于场效应电子器件（场效应管、（）），为防止静电击穿或静电寄存，在没有采取防静电措施时不要触摸它。
A. MOS集成电路
B. HTL集成电路
C. TTL集成电路
D. 分立电路
[判断题]场效应管的低频跨导是描述栅极电压对漏极电流控制作用的重要参数，其值愈大，场效应管的控制能力愈强。
[单项选择]功率场效应管属于（）。
A. 单极性电压控制元件
B. 单极性电流控制元件
C. 双极性电压控制元件
D. 双极性电流控制元件
[单项选择]电力场效应管MOSFET（）现象。
A. 有二次击穿
B. 无二次击穿
C. 防止二次击穿
D. 无静电击穿
[单项选择]场效应管栅极用（）表示。
A. C
B. G
C. S
D. D
