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[单选题]现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因不包括()
A.标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[单选题]2.292. 第292题
现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因不包括()
A.标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[单选题]3.140. 第140题
现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tanδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tanδN>tanδx;②电 场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响( )。
A.正确
B.错误
[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tanδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tanδN>tanδx;②电 场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污 的影响( )。
A.正确
B.错误
[单选题]电容型设备介质损耗因数和电容量相对测量参考设备的选取原则,错误的是( )
A.尽量选择与被试设备处于同一母线或直接相连母线上同类型电容型设备
B.不能选择不同类型的电容型设备
C.一般选择停电例行试验数据比较稳定的设备
D.选定的参考设备一般不再改变
[多选题]1.69.第66题
现场用电桥测量介损，出现负值的主要原因( )。
A.标准电容器介损大于试品介损
B.电场干扰
C.试品受潮
D.空间干扰网络的影响
[单选题]电容型设备介质损耗因数和电容量带电测试数据处理分析中,电容量比值(Cx/Cn)与初始测量值比较,初值 差不超过()
A.±5%
B.±2%
C.±3%
D.±1%
[多选题]可能影响电容型设备相对介质损耗因数和电容量比值测量结果的因数有( )
A.电网频率波动
B.电网电压波动
C.温度
D.湿度
[多选题]关于电容型电流互感器高压介质损测量,下列说法正确的是()。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大,只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下,tgδ值就较大,随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时,tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备,tgδ随电压上升而下降。
[单选题]用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用( )抗电场干扰好,测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量
[多选题]电容型设备介质损耗因数和电容量带电测试前,掌握被试设备及参考设备的( )。
A.历次停电例行试验
B.带电测试数据
C.运行记录
D.巡视记录
[多选题]2.27.第26题
关于电容型电流互感器高压介质损测量，下列说法正确的是（）。
A.绝缘良好的设备tgδ值不随试验电压的升高而偏大，只在接近额定电压时才略微增加。
B.绝缘严重受潮的设备在较低的电压下，tgδ值就较大，随着电压的升高tgδ值增大。
C.发生气隙局放设备达到局放起始放电电压时，tgδ急剧增高。
D.绝缘中含有离子型杂质的设备，tgδ随电压上升而下降。
[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数时,如果标准电容器受潮,有可能出现测得介损值为负值。
A.正确
B.错误
[单选题]3.143. 第143题
测量高压电容型套管的介质损耗时,将高压电容型套管水平放置在妥善接地的套管架上进行( )。
A.正确
B.错误
