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[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tanδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tanδN>tanδx;②电 场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污 的影响( )。
A.正确
B.错误
[单选题]3.140. 第140题
现场用电桥测量介质损耗因数，出现－tanδ的主要原因：①标准电容器CN有损耗，且tanδN＞tanδx；②电 场干扰；③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响；④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响（ ）。
A.正确
B.错误
[判断题]现场用电桥测量介质损耗因数时,如果标准电容器受潮,有可能出现测得介损值为负值。
A.正确
B.错误
[单选题]2.296. 第296题
现场用电桥测量介质损耗因数时,如果标准电容器受潮,有可能出现测得介损值为负值。
A.正确
B.错误
[单选题]现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因不包括()
A.标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[单选题]2.292. 第292题
现场用电桥测量电容型设备的介质损耗因数,出现-tgδ的主要原因不包括()
A.标准电容器CN有损耗,且tgδN>tgδx
B.试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响
C.空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响
D.采用反接法进行测量
[单选题]用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用( )抗电场干扰好,测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量
[单选题]QS/18A电桥损耗倍率开关,用来扩展损耗平衡的范围,测量小损耗电容器时放在( )位置。
A.“Q”
B.“D*0.01”
C.“D*1”
D.“D*10”
[多选题] 电容器的主要例行维护工作：对地绝缘电阻、（ ）、测量介质损耗、继电保护整定值。
A. 测量电容
B. 测量箱壳温度
C. 交流耐压试验
D. 检查螺母松紧度
[单选题]QS/18A电桥损耗倍率开关,用来扩展损耗平衡的范围,测量大损耗电容器时,放在( )位置。
A.“Q”
B.“D*0.01”
C.“D*1”
D.“D*10”
[单选题]2.147. 第147题
用介质损电桥测量小电容试品介质损耗因数时,采用( )抗电场干扰好,测量误差较小。
A.正接线
B.反接线
C.对角接线
D.低压测量
[多选题]1.69.第66题
现场用电桥测量介损，出现负值的主要原因( )。
A.标准电容器介损大于试品介损
B.电场干扰
C.试品受潮
D.空间干扰网络的影响
[判断题]当电容器组中电容器元件有少量损坏时,测试绝缘电阻、介质损耗和电容量都能及早发现电容器内部存在的 严重缺陷。
A.正确
B.错误
[单选题]测量介质损耗因数,通常不易发现( )
A.整体受潮
B.绝缘油劣化
C.小体积试品的局部缺陷
D.大体积试品的局部缺陷
