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[单选题]电力场效应管 MOSFET( )现象。
A.有二次击穿
B.无三次责。
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[判断题]电力场效应晶体管 MOSFET在使用时要防止静电击穿。( )
A.正确
B.错误
[多选题]电力场效应管(MOSFET)按照导电沟道分为(____)。
A.P沟道
B. N沟道
C.耗尽型
D. 增强型
[多选题]电力场效应管(MOSFET)的三个电极为(____)。
A.漏极
B.栅极
C.源极
D.基极
[多选题]电力场效应管（MOSFET）按栅极电压幅值可分为(____)。
A.耗尽型
B.增强型
C.P沟道
D.N沟道
[单选题]电力场效应管（MOSFET）主要采用何种结构形式？(____)。
A.P沟道耗尽型
B. P沟道增强型
C. N沟道耗尽型
D. N沟道增强型
[判断题] 电力晶体管在使用时要防止二次击穿。( )
A.正确
B.错误
[判断题]道岔电路中R2的作用是为了缓冲瞬间强电压冲击防止二极管击穿。
A.正确
B.错误
[单选题]防止静电的主要措施是( )。
A.接地
B.通风
C.防燥
D.防潮
[单选题]氧气,乙炔管道以及其他会产生静电的管道必须( ),以防止静电事故发生。
A.A.独立接地
B.B.重复接地
C.C.接成一个整体再接地
