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[单选题] 电力场效应管MOSFET( )现象。
A.有二次击穿
B.无二次击穿
C.防止二次击穿
D.无静电击穿
[单选题]电力场效应管MOSFET适于在哪个频段下工作:
A.中频
B.超高频
C.低频
D.高频
[判断题] 电力场效应管MOSFET在使用时要防止静电击穿。( )
A.正确
B.错误
[多选题]电力场效应管(MOSFET)按照导电沟道分为(____)。
A.P沟道
B. N沟道
C.耗尽型
D. 增强型
[多选题]电力场效应管(MOSFET)的三个电极为(____)。
A.漏极
B.栅极
C.源极
D.基极
[单选题]电力场效应管（MOSFET）主要采用何种结构形式？(____)。
A.P沟道耗尽型
B. P沟道增强型
C. N沟道耗尽型
D. N沟道增强型
[多选题]电力场效应管（MOSFET）按栅极电压幅值可分为(____)。
A.耗尽型
B.增强型
C.P沟道
D.N沟道
[单选题]场效应晶体管根据它的导电沟道可分为N沟道场效应管和 ( ) 场效应管两种。
[1分]
A.G沟道
B.P沟道
C.绝缘栅型
D.结型
[单选题] 绝缘栅双极晶体管的开关速度比电力场效应管的( )。
A.高
B.相同
C.低
D.不一定高
[单选题] 在斩波器中,采用电力场效应管可以( )。
A.提高斩波频率
B.降低斩波频率
C.提高功耗
D.降低斩波效率
[判断题] 逆变电路输出频率较高时,电路中的开关元件应采用电力场效应管和绝缘栅双极晶体管。( )
A.正确
B.错误
[单选题]场效应管是( )控制方式。
A.电流
B.电压
C.变压器
D.温度
[判断题] 在斩波器中,采用电力场效应管后可降低对滤波元器件的要求,减少了斩波器的体积和重量。( )
A.正确
B.错误
[单选题] 单选题 场效应管是( )控制器件。
A. 电流
B. 电压
[单选题]场效应管是 ( )器件。
[1分]
A.电压控制电压
B.电流控制电压
C. 电压控制电流
D.电流控制电流
