更多"[单选题]在 N 型半导体中,( )是多数载流子。"的相关试题:
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是自由电子
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题] N型半导体中,电子为多数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[简答题][题号:154;鉴定点:ABA006;判断题;N型半导体多数载流子是空穴。
[单选题]在N型半导体中,( )是多数载流子。
A.锗
B.硅
C.电子
D.空穴
[判断题]06GG003502 N型半导体中,电子为多数载流子。()
A.正确
B.错误
[填空题]P型半导体的多子为( )、N型半导体的多子为( )、本征半导体的载流子为( )。
[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是自由电子
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[简答题][题号:155;鉴定点:ABA006;判断题;P型半导体多数载流子是电子。
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( ) 有很大关系。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[判断题]N型半导体中自由电子是少数载流子。
A.正确
B.错误
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( )有很大关系
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[判断题]在N型半导体中,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误