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[单选题]2.74. 第74题
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压,其纹波因数与试品直流电流的大小成反比,与滤波电容
(含试品电容)及直流电压的大小成正比( )。
A.正确
B.错误
[判断题]2.74.
工频高电压经高压硅堆半波整流产生的直流高电压，其纹波因数与试品直流电流的大小成反比，与滤波电容
（含试品电容）及直流电压的大小成正比（ ）。
A.正确
B.错误
[判断题]产生直流高压的半波整流电路中经高压硅堆V后变为脉动直流，经滤波电容C后减小了直流电压的脉动。
A.正确
B.错误
[判断题]产生直流高压的半波整流电路由升压试验变压器T 高压硅堆V 浪波电容和保护电阻R构成。
A.正确
B.错误
[单选题]2.51.
在直流耐压试验的半波整流带滤波电容线路中，高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的(
)倍。
A.2倍
B.1.5倍
C.1倍
D.0.5倍
[填空题]在直流半波整流线路中,高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的倍数为( )。
[单选题]2.51. 第51题
在直流耐压试验的半波整流带滤波电容线路中,高压硅堆的最大反向工作电压不得低于试验电压幅值的(
)倍。
A.2倍
B.1.5倍
C.1倍
D.0.5倍
[单选题]在直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆的最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的( )。
A.1.414倍
B.1倍
C.2.83倍
D.2倍
[单选题] 避雷器直流耐压试验的半波整流电路中,高压硅堆得最大反向工作电压,不得低于试验电压幅值的( )。
A. 2.83倍
B. 2倍
C. 0.8倍
D. 5倍
[单选题]1.155.
在直流耐压试验的半波整流电路中，高压硅堆的最大反向工作电压，不得低于试验电压幅值的（ ）。
A.2.83倍
B.2倍
C.1倍
D.1.414倍
[判断题]用串级整流方式产生的直流高电压,其脉动因数与直流发生器的串接级数及负载(试品)泄漏电流成正比,与滤波电容、整流电源频率及直流电压的大小成反比。
A.正确
B.错误
[判断题]用中级整流方式产生的直流高电压，其脉动因数与直流发丝器的邻接级人负(试品)泄漏电流成正比。( )
A.正确
B.错误
[判断题]工频高电压通常采用试验变压器来产生;对电容量较大的被试品,可以采用串联谐振回路产生高电压;对于电力变压器、电压互感器等具有绕组的被试品,可以采用1OOHz-300Hz的中频电源对其低压侧绕组激磁在高压绕组感应产生高电压。
A.正确
B.错误
[判断题]直流电路中,若干电阻并联,每个电阻流过的电流与其阻值成反比。( )
A.正确
B.错误
[单选题]用静电电压表测量工频高电压时,测得的是电压的( )。
A.峰值
B.平均值
C.有效值
D.瞬时值
[多选题]虽然电缆导体的直流电阻与其截面积成反比，但截面积增加一倍，由于()的影响，电缆载流量的平方并没有随之增加一倍。
A.电场强度
B.集肤效应
C.邻近效应
D.涡流损耗
[单选题]2.76. 第76题
进行工频高电压测量,可以采用直接测量或间接测量。直接测量常采用静电电压表和球隙进行;间接测量常采用电压互感器和分压器以及与其相配合的测量仪器进行。
A.正确
B.错误
[判断题]物体受力偶作用时产生的转动效应，与力偶中力的大小成正比，与力偶臂的大小成反比。
A.正确
B.错误
