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[判断题]在错误型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,多数载流子是空穴,少数少数载流子是自由电子。
A.正确
B.错误
[判断题]在错误型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在P型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]错误型半导体中自由电子是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]N型半导体中自由电子是少数载流子。
A.正确
B.错误
[判断题]在N型半导体中,空穴是少数载流子。
A.正确
B.错误
[单选题]在N型半导体中,( )是少数载流子。
A.锗
B.硅
C.电子
D.空穴
[单选题]在 P 型半导体中,( )是少数载流子。
A.空穴
B.电子
C.硅
D.锗
[填空题]P型半导体的多子为( )、N型半导体的多子为( )、本征半导体的载流子为( )。
[单选题]半导体中的少数载流子产生的原因是( )。
A.外电场
B.内电场
C.掺杂
D.热激发
[单选题]在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于( )
A.掺杂工艺
B.温度
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( ) 有很大关系。
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷
[单选题]在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度,而少数载流子的浓度则与( )有很大关系
A.温度
B.掺杂工艺
C.杂质浓度
D.晶体缺陷