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[判断题]5.75.第 78 题 110kV串级式电压互感器为了加强上下两个绕组的磁耦合,在铁心柱上绕有平衡绕组。平衡绕组对上铁心柱起助磁作用,对下铁心柱起去磁作用,从而平衡了上下两个一次绕组所分配的电压,也就增强了上铁心柱上的一次绕组和下铁心柱上的二次绕组间的耦合。
A.正确
B.错误
[判断题] 用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tanδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥Cx引线相连;电桥按正接线方式工作。( )
A.正确
B.错误
[判断题]3.53.第62题
用末端屏蔽法测量串级式电压互感器tanδ的具体接法是:高压绕组A端加压,X端和底座接地;二次测量绕组和辅助绕组均短接后与电桥Cx引线相连;电桥按正接线方式工作( )。
A.正确
B.错误
[多选题]预防性试规程中的110kV电磁式电压互感器励磁特性测量点至少包括额定电压的（ ）。
A.0.2
B.0.5
C.0.8
D.1
E.;
[多选题]为防止110kV及以上电压等级断路器断口均压电容与母线电磁式电压互感器发生谐振过电压,母线送电，采取的措施有(____)。
A. 用断路器带电压互感器直接充电
B. 电压互感器的二次回路采取阻尼措施
C. 采取线路和母线一起充电
D. 将电压互感器隔离开关断开
[多选题]为防止110kV及以上电压等级断
路器断口均压电容与母线电磁式
电压互感器发生谐振过电压,母
线送电，采取的措施有(____)。
A.用断路器带电压互感器直接充电
B.电压互感器的二次回路采取阻尼措施
C.采取线路和母线一起充电
D.将电压互感器隔离开关断开
[单选题]1.282. 第282题
对110kV及以上的电磁式电压互感器,在例行试验中测整体介损tgδ增大时的原因( )。
A.测量接线不正确,介损桥受外电场干扰
B.电磁式电压互感器二次接线板和小套管的脏污和外绝缘表面的脏污的影响
C.受潮引起的
D.都有可能
[判断题]4.113. 第113题
采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器整体介损,其方法是高压端A加压,X端接地,底座与地绝缘,二、三次绕组一端短接后,与底座一起引入电桥,采用正接线。
A.正确
B.错误
[单选题]4.143. 第143题
在试验现场采用末端屏蔽法测量串级式电压互感器的介损tgδ时,其值主要是反映( )。
A.全部绕组的绝缘状态
B.1/2绕组的绝缘状态
C.1/4绕组的绝缘状态
D.只反映下部铁芯的高压绕组,即110kV级1/2,220kV级1/4的绝缘状态
[多选题]1.42.第42题
测量串级式电压互感器tanδ和电容的主要方法有:( )。
A.末端加压法
B.末端屏蔽法
C.常规试验法
D.自激法
[判断题]测量电气设备介质损耗角正切值tanδ时,消除电场干扰影响的方法有屏蔽法、选相倒相法、移相法及干扰平衡法等。
A.正确
B.错误
[判断题]测量串级式电压互感器二次绕组绝缘电阻；在交接或大修，用 1000V 绝缘电阻表进行测量，其绝缘电阻值应≥100MΩ。
A.正确
B.错误
[多选题]采用末端屏法测量串级式电压互感器介损时其值主要是反映（）
A.反映下部铁心的高压绕组
B.全部绕组的绝缘状态
C.110kV级1/2绝缘状态
D.220k∨级1/4绝缘状态
[单选题]4.145. 第145题
测量串级式电压互感器绝缘支架介质损耗因数时,可选择的接线方式是( )。
A.自激法
B.末端加压法
C.末端屏蔽法
D.反接法
[单选题]4.144. 第144题
采用末端屏蔽直接法测量串级式电压互感器绝缘支架时,造成灵敏度很低的原因是( )。
A.电场干扰
B.支架的电容量小
C.采用正接线
D.端子板的影响。
[多选题]电容器 tanδ 的测量能发现( )。
A.电容器绝缘介质受潮
B.击穿等绝缘缺陷
C.制造过程中真空处理和剩余应力
D.引线端子焊接不良、有毛刺、铝箔或膜纸不平整
