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发布时间:2023-10-07 20:58:48

[多选题]1.42.第42题
测量串级式电压互感器tanδ和电容的主要方法有:( )。
A.末端加压法
B.末端屏蔽法
C.常规试验法
D.自激法

更多"[多选题]1.42.第42题测量串级式电压互感器tanδ和电容的主要方"的相关试题:

[判断题]套管介质损耗角正切值tanδ和电容量测试是判断套管是否受潮的一个重要试验项目。
A.正确
B.错误
[判断题]2.297. 第297题
套管介质损耗角正切值tanδ和电容量测试是判断套管是否受潮的一个重要试验项目。
A.正确
B.错误
[多选题]根据套管介质损耗角正切值tanδ 和电容量的变化可以较灵敏地反映出( )和其他局部缺陷。
A.套管绝缘劣化
B.套管绝缘受潮
C.电容层短路
D.电容层漏油
[判断题]3.140. 第140题
现场用电桥测量介质损耗因数,出现-tanδ的主要原因:①标准电容器CN有损耗,且tanδN>tanδx;②电 场干扰;③试品周围构架杂物与试品绝缘结构形成的空间干扰网络的影响;④空气相对湿度及绝缘表面脏污的影响( )。
A.正确
B.错误
[判断题]交接时断口电容器的tanδ 应在安装后测试,主要是将断路器灭弧室的影响考虑进去。
A.正确
B.错误
[判断题]耦合电容器等电容器串联元件较多,tanδ能够灵敏反映个别元件短路、开路或劣化。
A.正确
B.错误
[单选题]3.109. 第109题
膜纸复合的电容式电压互感器电容单元介质损耗因数tanδ测量交接试验标准正确的是()。
A.不超过0.0025
B.不超过0.0015
C.不超过0.005
D.不超过0.008
[多选题]电容器 tanδ 的测量能发现( )。
A.电容器绝缘介质受潮
B.击穿等绝缘缺陷
C.制造过程中真空处理和剩余应力
D.引线端子焊接不良、有毛刺、铝箔或膜纸不平整
[判断题]断路器电容器 tanδ 测量通常采用反接线。
A.正确
B.错误

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