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[单项选择]某RAM芯片，其容量是512X8bit，除电源和接地线外该芯片引脚的最少数目是 ( )。
A. 21
B. 19
C. 17
D. 不可估计
[单项选择]某RAM芯片，其容量是512×8bit，除电源和接地线外该芯片引脚的最少数目是( )。
A. 21
B. 19
C. 17
D. 不可估计
[单项选择]某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除电源和接地端外，该芯片引脚的最小数目为( )。
A. 20
B. 22
C. 25
D. 30
[单项选择]某一SRAM芯片，其容量为1024×8位，除电源和接地端外，该芯片最少引出线数为（）。
A. 18
B. 19
C. 20
D. 21
[单项选择]某一DRAM芯片，其容量为512×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数为( )。
A. 25
B. 23
C. 20
D. 19
[单项选择]RAM芯片，其容量为1024×8位，除电源端和接地端外，连同片选、/OE和读/写信号该芯片引出脚的最小数目应为( )。
A. 23
B. 20
C. 17
D. 22
[单项选择]若RAM芯片的容量是2M~8bit，则该芯片引脚中地址线和数据线的数目之和是（）。
A. 21
B. 29
C. 18
D. 不可估计
[单项选择]某 SRAM芯片的容量为 512×8位，除电源端和接地端外，该芯片引出线的最小数目应为
（ ）。
A. 23
B. 25
C. 50
D. 19
[单项选择]对存储器按字节进行编址，若某存储器芯片共有10根地址线的引脚，则该存储器芯片的存储容量为 ( )
A. 512 B
B. 1 KB
C. 2 KB
D. 4 KB
[单项选择]智能建筑的接地要求有防雷接地、工作接地、保护接地、屏蔽与防静电接地。强电与弱电的接地走向要分开。弱电竖井内设有单独接地干线，将每层弱电设备的保护接地和工作接地与接地干线相连。以下说法正确的是（）。
A. 采用联合接地时，接地电阻应不大于4Ω
B. 采用单独接地时，接地电阻应小于1Ω
C. 采用联合接地时，接地电阻应不大于1Ω
D. 采用单独接地时，接地电阻应小于4Ω
[单项选择]接地工程中广泛采用的接地极有金属接地极、非金属接地极、离子接地极及( )。
A. 垂直接地极
B. 降阻剂
C. 接地模块
D. 水平接地极
[单项选择]隔离开关有单接地(一侧有接地刀)、双接地(两侧有接地刀)和不接地(无接地刀)三种。这是( )标准的分类。
A. 按安装地点不同
B. 按用途不同
C. 按断口两端是否安装接地刀情况
D. 按触头的运动方式不同
[单项选择]接地干线与接地极的连接、接地线与接地干线的连接应采用( )。
A. 焊接
B. 相互编制连接
C. 旋转连接
D. 螺栓连接
[多项选择]用接地电阻测试仪测试接地装置的接地电阻值后，如果接地装置的接地电阻达不到标准，应采取( )等措施，直至符合标准为止。
A. 增加降阻剂
B. 增加接地极的埋入深度
C. 增加接地极的数量
D. 更换接地极的位置
