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发布时间:2023-10-27 00:18:00

[单项选择]某 SRAM芯片的容量为 512×8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数目应为 ( )。
A. 23
B. 25
C. 50
D. 19

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[单项选择]某一SRAM芯片其容量为2KB,除电源和接地线之外,该芯片引线的最小数目是()
A. 24
B. 26
C. 20
D. 22
[单项选择]某一RAM芯片,其容量为512X8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数目应为 ( )。
A. 23
B. 25
C. 50
D. 19
[单项选择]某一DRAM芯片,其容量为512×8位,除电源端和接地端外,该芯片引出线的最小数为( )。
A. 25
B. 23
C. 20
D. 19
[单项选择]设某静态RAM芯片容量为8KX8位,若用它组成32K×8位的存储器,所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是( )。
A. 4片、13根
B. 4片、12根
C. 6片、11根
D. 4片、16根
[单项选择]设某静态RAM芯片容量为8K×8位,若用它组成 32K×8位的存储器,所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是( )。
A. 4片、13根
B. 4片、12根
C. 6片、11根
D. 4片、16根
[单项选择]某静态RAM 芯片容量为8K×8位,如用它组成32K×8位的存储器,所用芯片数及这种芯片的片内地址线数目是( )。
A. 4片、13根
B. 4片、12根
C. 6片、11根
D. 4片、16根
[单项选择]设某静态RAM芯片容量为8K×8位,若用它组成32K×8位的存储器,所用芯片数以及这种芯片的片内地址线数目是( )。
A. 4片、13根
B. 4片、12根
C. 6片、11根
D. 4片、16根
[单项选择]RAM芯片,其容量为1024×8位,除电源端和接地端外,连同片选、/OE和读/写信号该芯片引出脚的最小数目应为( )。
A. 23
B. 20
C. 17
D. 22
[单项选择]用2164DRAM芯片构成8086内存的最小容量是()。
A. 64KB
B. 256KB
C. 128KB
D. 640KB
[单项选择]某RAM芯片,其容量是512×8bit,除电源和接地线外该芯片引脚的最少数目是 ( )。
A. 21
B. 19
C. 17
D. 不可估计
[单项选择]电气消防系统独立接地装置接地电阻最小值为( )。
A. 1Ω
B. 4Ω
C. 10Ω
D. 30Ω
[单项选择]综合布线系统独立接地装置接地电阻最小值为( )。
A. 1Ω
B. 4Ω
C. 10Ω
D. 30Ω
[单项选择]某DRAM芯片,其存储容量为512Kx8位,该芯片的地址线和数据线数目为 ( )
A. 8,512
B. 512,8
C. 18,8
D. 19,8
[单项选择](3)室外10kV高压引出线的套管至屋外人行通道地面之间最小电气安全净距为( )。
A. 2700mm
B. 4000mm
C. 4500mm
D. 2950mm
[判断题]用直流双臂电桥测量电阻时,应使电桥电位接头的引出线比电流接头的引出线更靠近被测电阻。
[判断题]在一般情况下,110kV等级变压器的10kV内绕组的上端引出线每边绝缘厚度为6mm,下端引出线每边绝缘厚度为6mm。220kV等级变压器的35kV内绕组的上端引出线,每边绝缘厚度为16mm,下端引出线每边绝缘厚度为10mm。允许偏差均为1~2mm。

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