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[多选题]下列对CMOS电路特点描述正确的是。
A.静态功耗较高，每门功耗为纳瓦级
B.逻辑摆幅大，近似等于电源电压
C.抗干扰能力强
D.速度快，门延迟时间达纳秒级
[多选题]由( )组成的集成电路简称 CMOS 电路。
A.金属
B.氧化物
C.半导体场效应管
D.磁性物
[判断题]CMOS 电路主要元件是三极管。 ( )
A.正确
B.错误
[单选题]对CMOS电路特点表述错误的是。
A.有自锁效应，影像电路正常工作
B.与NMOS电路相比，集成度高
C.在模拟电路中应用，其性能比NMOS电路好
D.速度快，门延迟时间达纳秒级
[单选题]由于CMOS集成电路输出电压幅度接近于电路的工作电压值，因此供给电路的正负工作电压范围可略（ ）电路要求输出的电压幅度。
A.小于
B.等于
C.大于
D.无关
[判断题]TTL集成门电路与CMOS集成门电路的静态功耗差不多
A.正确
B.错误
[判断题]CMOS集成门电路的内部电路是由场效应管构成
A.正确
B.错误
[判断题]CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL基成门电路高
A.正确
B.错误
[判断题]CMOS集成门电路的输入阻抗比TTL集成门电路高。 ( )
A.正确
B.错误
[简答题]CMOS门电路多余或暂时不用的输入端如何处理？
[多选题]关于电阻串联电路描述正确的为( )。
A.串联电路的端电压等于各串联电阻上的压降之和
B.串联电路的端电压等于各串联电阻上的电压
C.串联电阻电路的总功率等于各串联电阻所消耗的功率之和
D.总电流等于流经各串联电阻上的电流
E.总电流等于流经各串联电阻上的电流之和
F.总电阻的倒数等于各串联电阻的阻值倒数之和
G.总电阻等于各串联电阻的阻值之和
[单选题]下列对串并联电路描述错误的是（）。
A.串联电路中，电路两端的总电压等于各电阻两端的分压之和
B.各串联吸收的总功率的总功率等于它们的等效电阻所吸收的功率
C.并联电路总电阻等于各并联电阻倒数之和
D.电阻并联时，电阻值大分流小，吸收的功率小；电阻值小分流大，吸收的功率也大
[多选题]下列对CMOS应用领域描述正确的是。
A.用于计算机信息保存
B.音箱调频
C.数字影像领域
D.更加专业的集成电路设计与制造领域
[多选题]CMOS集成逻辑门电路内部不包括以下( )元件。
A. 三极管
B. 二极管
C.场效应管
D. 晶闸管
E. 电子管
[单选题]CMOS集成逻辑门电路内部是以（ ）为基本元件构成的
A.二极管
B.三极管
C.晶闸管
D.场效应管
[单选题]CMOS集成电路采用场效应管，而且都是互补结构，工作时两个串联的场效应管总是处于一个管导通，另一个管截止的状态，电路静态功耗理论上为（ ）。
A.零
B.负值
C.正直
D.无穷大
