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[单选题]单项选择题:当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为( ) 。
A. 前者反偏、后者也反偏
B. 前者正偏、后者反偏
C. 前者正偏、后者也正偏
[单选题]单项选择题:共发射极接法的晶体管,工作在放大状态下,对直流而言其( )
A. 输入具有近似的恒压特性,而输出具有恒流特性。
B. 输入和输出均具近似的恒流特性。
C. 输入和输出均具有近似的恒压特性。
D. 输入具有近似的恒流特性,而输出具有恒压特性。
[单选题]单项选择题：数字万用表测晶体管插座“hfe”（晶体管放大倍数）采用（ ）插座。
A. 六芯
B. 八芯
C. 九芯
D. 十二芯
[单选题]单项选择题:晶体管通过改变( )来控制集电极电流;
A. 基极电流
B. 栅-源电压
C. 集电极电流
D. 漏极电流
[单选题]单项选择题:晶体管E.B.C级三根引脚按图样装入规定位置,焊接时间应尽量短,三根引线( )。
A. 垂直安装
B. 不能相碰
C. 接在一起
D. 水平安装
[判断题]三极管的工作状态处于放大状态时发射结正偏、集电结反偏。
A.正确
B.错误
[单选题]单项选择题:只用万用表判别晶体管3个电极,最先判别出的应是 ( )极 。
A. 发射极
B. 基极
C. 集电极
D. 无法判断
[单选题]单项选择题:电子工艺焊接时,若晶体管需要加散热器,应使接触面( )。
A. 垂直
B. 水平
C. 平整
D. 倾斜
[单选题]单项选择题:电容器、晶体管等元器件插装时,应适当保留引线长度,一般要求高电路板( )。
A. 1mm
B. 2mm
C. 3mm
D. 4mm
[多选题]多项选择题:晶体管继电器按照延时方式可以分为( )。
A. 通电延时型
B. 断电延时型
C. 带瞬动触点的通电延时型
D. 带瞬动触点的断电延时型
[判断题]判断题：硅晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE为0.3V。 （ ）
A.正确
B.错误
[判断题]判断题：锗晶体管工作于放大状态时，其发射结电压UBE为0.7V。 （ ）
A.正确
B.错误
[单选题]单项选择题:三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
[单选题]单项选择题:三极管当发射结和集电结都反偏时工作于( )状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
[单选题]单项选择题:三极管当发射结正偏和集电结反偏时工作于( )状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
[判断题]三极管处于放大状态时发射结反向偏置，集电结反向偏置
A.正确
B.错误
[判断题]判断题：一个NPN三极管发射结和集电结都处于反偏时，此三极管处于放大状态。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]判断题：一个NPN三极管发射结和集电结都处于正偏，则此三极管处于放大状态。（ ）
A.正确
B.错误
[判断题]三极管的工作状态处于饱和状态时发射结正偏、集电结正偏。
A.正确
B.错误
