集成电路技术
当前位置：首页 ＞ 学历类 ＞ 大学试题 ＞ 工学类 ＞ 电子与通信技术  ＞ 集成电路技术
[填空题]晶圆制备的九个工艺步骤分别是（）、整型、（）、磨片倒角、刻蚀、（）、清洗、检查和包装。
[填空题]晶圆制备中的整型处理包括（）、（）和（）。
[填空题]淀积膜的过程有三个不同的阶段。第一步是（），第二步是（），第三步是（）。
[填空题]单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称为（）。
[填空题]立式炉的工艺腔或炉管是对硅片加热的场所，它由垂直的（）、（）和（）组成。
[填空题]制备半导体级硅的过程：1、（）；2、（）；3、（）。
[填空题]硅片上的氧化物主要通过（）和（）的方法产生，由于硅片表面非常平整，使得产生的氧化物主要为层状结构，所以又称为（）。
[填空题]从半导体制造来讲，晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是（）、（）和（）。
[填空题]根据氧化剂的不同，热氧化可分为（）、（）和（）。
[填空题]用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分（）、（）、气体分配系统、尾气系统和（）。
[填空题]晶圆的英文是（），其常用的材料是（）和（）。
[填空题]列出热氧化物在硅片制造的4种用途（）、（）、场氧化层和（）。
[填空题]热氧化工艺的基本设备有三种（）、（）和（）。
[填空题]目前常用的CVD系统有（）、（）和（）。
[填空题]影响CZ直拉法的两个主要参数是（）和（）。
[填空题]CZ直拉法的目的是（）。
[填空题]用来做芯片的高纯硅被称为（），英文简称（），有时也被称为（）。
[填空题]选择性氧化常见的有（）和（），其英语缩略语分别为LOCOS和（）。
[填空题]CZ直拉法生长单晶硅是把（）变为（）并且（）的固体硅锭。
[填空题]缩略语PECVD、LPCVD、HDPCVD和APCVD的中文名称分别是（）、（）、高密度等离子体化学气相淀积和（）。

相关试卷: