参考答案:
短沟道效应是指:当MOS晶体管的沟道长度变短到可以与源漏的耗尽层宽度相比拟时,发生短沟道效应,栅下耗尽区电荷不再完全受栅控制,其中有一部分受源、漏控制,产生耗尽区电荷共享,并且随着沟道长度的减小,受栅控制的耗尽区电荷不断减少的现象。
影响:由于受栅控制的耗尽区电荷不断减少,只需要较少的栅电荷就可以达到反型,使阈值电压降低;沟道变短使得器件很容易发生载流子速度饱和效应。
男,38岁,外院诊断"血吸虫病"患者,曾用锑剂治疗1次,1年前用吡喹酮治疗1次。近1个月来乏力、腹胀,刷牙易出血。查体:慢性病容,巩膜无明显黄染,腹水征(+),肝未及,脾肋下3.5cm。血象:Hb98g/L,WBC3.8×109/L,N66,L34%.PLT48×109/L。对于患者的诊断和治疗最有指导意义的检查是()
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