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[简答题]电缆导体压接有哪些工艺要点?

参考答案:(1)压接前要检查核对连接金具和压模,必须与电缆导体标称截面、导体结构种类(紧压或非紧压)相符;(2)用清洁剂清除导体、接管、接线端子表面污垢,使其表面出现光泽;(3)导体经圆整后插入连接管或接线端子,插入长度必须充足;(4)压接顺序、部位应符合工艺标准,压模合拢后,应停留10~15s,使压接部位金属塑性变形达到基本稳定后,才能松模;(5)压接后,压接部位表面应光滑平坦,不应有裂纹或毛刺,边缘处不得有尖端。

在中国，自行车是最为流行的交通工具。
2．骑自行车有许多好处。
3．自行车的未来……

参考答案:

The Bicycle in China

The bicycle is the most popular means of transportation in China. China is a country "on bicycle wheels". People ride them for various purposes such as going to and from school and work. Bicycles are very cheap and easy to buy in China.
There are many advantages to riding a bicycle. First, using a bicycle can greatly help reduce the air pollution in many big cities. Second, people can improve their health by riding a bicycle. The future of bicycle will be bright. In some European countries, city governments have arranged pedestrians to use "public bicycles" to travel round the city center free of charge.

第38题: [简答题]影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些？
参考答案: 1）温度高温区B区，生长速率对温度的变化不敏感，生长速率由气相质量输运控制，并且对反应室的几何形状和气流有很大的依赖性。低温区A区，生长速率对温度的变化非常敏感，生长速率完全由表面化学反应控制。外延温度选在高温区：生长速率处于质量输运控制范围，温度的微小波动不会影响生长速率显著变化；淀积在表面的硅原子具有足够的能量和迁移能力，易找到合适的位置形成单晶；外延温度太高，会使自掺杂效应和扩散效应加重。
2）反应剂浓度外延生长速率由以下两因素较慢放入一个决定：氢还原𝐒𝐢𝐂𝐥₄析出硅原子的速率；被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶层的速率。𝐒𝐢𝐂𝐥₄浓度较小，𝐒𝐢𝐂𝐥₄被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶硅速度，化学反应速度控制外延层的生长速率；增加𝐒𝐢𝐂𝐥₄浓度，化学反应速率加快，生长速度提高。浓度大到一定程度，化学反应释放硅原子速度大于硅原子在衬底表面的排列生长速度，此时生长速率受硅原子在衬底表面排列生长的速度控制。进一步增大𝐒𝐢𝐂𝐥₄浓度（Y=0.1）生长速率减小；当Y=0.27时，逆向反应发生硅被腐蚀；
反向腐蚀越严重，生长速率下降，当Ｙ>0.28时，只存在腐蚀反应。
3）气流速率气体流速越大，边界层越薄，相同时间内转移到单位衬底表面上的反应剂数量越多，外延层生长速率也越快；当气流大到一定程度时，外延层的生长速率基本不随气体流量增大而加快。因为此时边界层厚度很薄，输运到衬底表面的反应剂数量可能超过外延温度下的化学表面反应需要的数量，此时生长速率由化学反应速率决定。
4）衬底晶向不同晶面的键密度不同，键合能力存在差别，会对生长速率产生一定影响。共价键密度小，键合能力差，生长速率慢，例如（111）晶面；共价键密度大，键合能力强，生长速率快，例如（110）晶面。

第39题:[单选题]站内工作而线路有电时，值班调度员向现场下施工令时，应说明在停电范围以内地线操作许可，同时强调：（）
A.停电范围
B.安全措施
C.注意安全
D.线路带电
E./
F./
参考答案:D

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